微帶貼片天線的效率（高介電常數(shù)的影響）

想請(qǐng)教一下，如果想減小微帶貼片天線的尺寸，可以用高介電常數(shù)的介質(zhì)板，帶寬減小是很容易理解的，但這會(huì)對(duì)天線的效率產(chǎn)生怎樣的影響？想從物理意義角度理解，謝謝 

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效率會(huì)下降，因?yàn)椴捎酶呓殡姵��?shù)的基板的貼片會(huì)更將大部分能量限制在貼片內(nèi)部，使得結(jié)構(gòu)的Q值進(jìn)一步增大，不能有效地向自由空間輻射。 
“帶寬減小”是眾所周知的結(jié)論，但不知你是如何理解的呢？

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bandwidth=1/(sqrt(2)*Q), 
Q=3*L*lambda0*er/(8*W*h); 
 
er增加，存儲(chǔ)能量線性增加，而er的增加會(huì)使L減小1/（sqrt(er)）倍，所以Q 隨sqrt(er) 增加

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還想問(wèn)一下，由于er的增加，會(huì)帶來(lái)?yè)p耗嗎？ 
 
效率=輻射功率/（輻射功率+損耗）； 
 
（1）輻射功率 減少是一方面的原因， 
（2）那損耗怎樣變化呢？

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理論上單是er的增加對(duì)損耗影響不大，但實(shí)際上增加了er代表微帶里面高介電常數(shù)填充物增加（通常是陶瓷），損耗角正切增大，損耗會(huì)明顯增加。 
損耗的變化要差具體板材標(biāo)稱的損耗角正切，然后計(jì)算一下就可以了。

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er的增加,表面波損耗會(huì)隨之增加，但如樓上說(shuō)的，影響不是很大，前提是h不要過(guò)大，那h多大算個(gè)界限呢，broadband microstrip antennas中給出： 
當(dāng)h/lambda0<=0.3/（2*pi*sqrt（er））時(shí)，表面波損耗可以忽略。 
 
通常的介質(zhì)隨著介電常數(shù)的增加，損耗角正切增加，高介電常熟低損耗角正切的介質(zhì)也有，但很貴，不實(shí)用。高損耗角正切也并非一無(wú)是處，它可有效得增加帶寬，詳情參見(jiàn)broadband microstrip antennas，具體那一頁(yè)，忘了，但記得是第二章。 
 
近年來(lái)，高介電常熟得介質(zhì)發(fā)展得也很快，因?yàn)樗�可使天線小型化，06年IEEE，trans on ap上有篇文章說(shuō)過(guò)這個(gè)，用得LTCC工藝做得一種介質(zhì)，介電常熟120多（一般我們?cè)O(shè)計(jì)微帶天線用得都是9.8以下的），大家可以去下載看看（忘了哪一期了，但記得是第一篇）

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樓上的，這么高的介電常數(shù)！我是搞民品的，聽(tīng)都沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)！ 
在民品中低介電常數(shù)的也很貴，幾乎是用純PTFE，介電常數(shù)2.1左右的，優(yōu)勢(shì)是損耗角正切很小，好像是0.0009，不過(guò)現(xiàn)在有公司開(kāi)發(fā)出了價(jià)格低廉的低介電常數(shù)材料，介電常數(shù)2.2左右，損耗角正切0.0012。

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那么高的介電常數(shù)怎么用啊，首先，尺寸大約會(huì)減小為:（W/sqrt(er)）*（L/sqrt(er)） 
輻射功率p_r正比于(w/sqrt(er))的平方，就是正比于1/er 
所以，效率=(p_r/er) / (p_r/er+p_loss)=p_r/(p_r+120*p_loss)<<20%,根本不能用啊。。

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我說(shuō)的那個(gè)好像是用于L波段干涉SAR，是一個(gè)4×4的陣列

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高介電常數(shù)的材料做出來(lái)的微帶貼片天線，波束比聚四氟乙烯材料上做的寬一些，但是增益低。 
 
高介電常數(shù)的材料也可以做成介質(zhì)諧振腔，用微帶線或者探針直接激勵(lì)，設(shè)計(jì)合理的話就能做成介質(zhì)天線。雖然介電常數(shù)高，但是輻射效率不低。 
 
介質(zhì)天線沒(méi)有實(shí)踐過(guò)，哪位能介紹一下？

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