新手ExcitationIncident wave 的邊界問題 還有自訂材料

我創(chuàng)建一個(gè)6.4mm(-3.23.2)*6.4mm(-3.23.2)*0.001mm(00.001)的金屬膜，且在中間穿一個(gè)0.3mm的洞
我往+Z方向入射一中心頻率350GHz、Beam waist=0.3mm 的Gaussian Beam 并設(shè)于座標(biāo)(0,0,0)

(1)
請(qǐng)問周圍的邊界怎么設(shè)??
我邊界大小設(shè)比我的金屬模在各方向都大個(gè)0.05mm
在側(cè)面4面與上面設(shè)Radiation里的Rdiating Only、下面設(shè)Radiation里的Incident Field
請(qǐng)問哪里有錯(cuò)嗎??
(2)
Au于350GHz的介電常數(shù)假設(shè)是-160000+i2500000且是隨頻率而變
那么我再新增材料時(shí) Relative Permitivity是設(shè)-160000；Dielectric Loss Tangent設(shè)+15.625對(duì)嗎??
(3)
若我想要看在z=0.03平面上的電場(chǎng)分布，我該怎么做??
是再額外加設(shè)一個(gè)平面在 z=0.03 設(shè)為wave port 還是 設(shè)成Radiation Boundary??
非常感謝各位大大的幫忙

Incident Field 方向可以通過向量設(shè)置，四周還是吸收邊界，AU的設(shè)置是正確的，Z=0.03那個(gè)面什么都不用設(shè)置

真是太感謝luzhnudt了
問題(3)真的Z=0.03那個(gè)面什么都不用設(shè)置
想問清楚一點(diǎn)您說的四周設(shè)吸收邊界是指PML還是Radiation里的Radiating Only??
還有若我想知道電磁波穿透小洞后在Z=0.03平面上的Power分布，又該怎么做呢??
因?yàn)檫x項(xiàng)中似乎只有電場(chǎng)與磁場(chǎng)可選擇來看