CST電阻設(shè)置

想問下，cst里用集總元件中設(shè)置的電阻和畫出圖形定義的電阻相同的大學(xué)為什么一樣呢？（我在lumped elements里設(shè)置的R=50，自己定義的block里用是normal，設(shè)置electric conductivily=1/50 S/m）是我的設(shè)置有問題么？
ps*我想要的就是一個(gè)電阻值是50歐姆的電阻，哪位大俠幫幫忙呢？？

你的話讀不通。。不知道什么意思

但是按照我的理解，50歐姆的電阻只能使用集總器件，不能使用normal材料代替

那再請教下，是不是如果我要話一個(gè)電阻的話（對形狀是有要求的），比如需要的阻值是R，是不是設(shè)置electric conductivily=1/50 S/m就可以了，還是需要根據(jù)電組大小和尺寸計(jì)算電導(dǎo)率呢？

不是，對于Normal類型的材料來說，是沒有電流通過的，如果設(shè)置成lossy metal倒是可以試試

太謝謝了

換成lossy metal了，還是和集總元件差別挺大的。。。

是不是阻值不一樣呢？

高手，學(xué)習(xí)了

肯定挺大的
lumped element 設(shè)為50歐姆的話 電磁場在其中只有歐姆損耗
但如果用lossy metal的話，不止有50歐姆的歐姆損耗 同時(shí)還包括極化損耗呢