求助CST MWS GTEM室仿真

建立模型后，吸波材料那個端口怎樣設置

直接加波端口試試

試了，還是不行，換成開放的端口，加50歐姆負載?？偸菆箦e。錯誤是：
Heahedral mesher terminated abnormally
Error in calculating solver matrix.
solver run aborted.
請高手指教

按照二樓說的，我設背景為PEC，掏空成GTEM室，中間加芯板，兩端設置端口，端口2提示：
waveguide for port number 2 is too short, the waveguide must be homogeneous for at least three mesh planes along propagation direction.

本人按照西安電子科大04級周小俠的碩士論文做GTEM室仿真。設置背景材料為PEC，從中挖空成一個GTEM室，端口1設置輸入脈沖源，端口2設置成波導端口，不接負載，設置成較多的模式，但在仿真時總是出現(xiàn)：waveguide for port number 2 is too short, the waveguide must be homogeneous for at least three mesh planes along propagation direction。此問題一直未解決，請問哪位大俠指點一二，非常感激！

首先，做仿真第一件事情就是要描述清楚你的仿真的環(huán)境細節(jié)，本站上每個人都知道什么是“GTEM室”嗎？不是的話，樓主你有義務先解釋什么是GTEM室，什么結構用來做什么。
其次，根據(jù)軟件提示的信息，樓主你這一個半月來都做了什么？別人并不知道你的模型在波導端口處的細節(jié)是什么樣的，真要讓別人給你指點一二，靠猜么？

GTEM室簡單說是模擬GHz橫電磁波，即TEM波的電磁環(huán)境模擬室，通常用該室模擬均勻電場環(huán)境，用于一些被測試件在該場下的效應。

有篇帖子上說過關于設置端口2，如圖所示，由于端口2需吸波材料，當設置足夠多的模式，可以代替吸波材料。但是實踐總是不行。用該設置：設置背景材料為PEC，從中挖空成一個GTEM室，端口1設置輸入脈沖源，端口2設置成波導端口。計算量小，節(jié)省時間，本人采用與實際GTEM室相同的模型計算量太大，所以還是想試試這種方式，別人都做到了，我的問題在哪呢？只是研究一下。

呵呵，這個課題我太熟悉了，仿真中用到了大量的簡化和等效情況。
針對你提出的問題，本站之前好像有解決方法可參考：/read.php?tid=40668#
當然，完全將吸波材料模型化進行計算也是可以的。

如果問題是波導端口，看不到你的模型的細節(jié)（這個才是大家想知道的），沒有準確的建議。原則請參考前面給出的帖子的鏈接。