CST MWS中做PCB輻射仿真疑問

各位高手，有個仿真疑惑急于求教。要做一塊PCB的EMI輻射仿真，PCB上有8顆相同的驅(qū)動芯片（目前沒有IBIS模型），現(xiàn)我將PCB導(dǎo)入到MWS里，將其中一顆芯片的一個輸出引腳端加waveport，并測得管腳輸出電流波形導(dǎo)入到MWS中作為激勵源，由芯片最后一級驅(qū)動開關(guān)動作引入了同步開關(guān)噪聲（SSN) 導(dǎo)致輸出電流波形也存在擾動，現(xiàn)在是希望仿真得到由于同步開關(guān)噪聲的存在對于正版PCB來說能夠引起多大的EMI。
問題1：以這樣的思路做輻射仿真，不知道對不對？還是CST必須要求輻射仿真一定要先在PCB studio中得到表面電流文件
問題2：在實(shí)際測試中，我用近場磁場探頭得到芯片的近場磁場頻譜，對于近場仿真，在CST中是不是也能建立仿真使結(jié)果與近場測試相對應(yīng)？
問題3：DS中的電容是無法設(shè)定初始電壓值嗎？
謝謝！如需我提供模型和波形，隨時上傳。

1、兩種方法均可，不過建議你的情況使用離散端口，而不是波導(dǎo)端口，不過還不是特別清楚你的激勵是什么樣的，最好有圖；
2、可以，在相應(yīng)位置放置探針即可；
3、不能，但如果你要實(shí)現(xiàn)也是可以的，看你要什么樣子的

謝謝你的回答。
我使用的激勵是測試得到的這個芯片引腳的輸出電流波形，如下圖：

疑問：
1. 使用離散端口可以設(shè)置激勵為測試波形嗎？
2. 在這種仿真方式導(dǎo)入PCB過程中，是否一定需要同時導(dǎo)入層疊文件？見CST PCB Import窗口的Stackup, Parts Editor
3. 近場測試圖示如下圖所示，

，這種仿真和實(shí)測對應(yīng)起來應(yīng)該怎么做？
4. 在DS中搭建原理圖時，電路工作開始時刻電容有初始電壓，應(yīng)該如何設(shè)置？

對于第一個問題，可以把你測得的波形轉(zhuǎn)換成txt數(shù)據(jù)形式導(dǎo)入到MWS中作為激勵源。

有個疑問，CST是一定要在DS里得到輻射源作為激勵再把PCB導(dǎo)入MWS進(jìn)行仿真嗎？我的電路級仿真是在Saber中做的，仿真波形導(dǎo)入CST MWS中做激勵源，然后再導(dǎo)入三維PCB模型，直接進(jìn)行輻射仿真，請問各位這樣做正確嗎？

應(yīng)該是可以的，激勵源的波形可以在其他軟件中得到

導(dǎo)入的波形文件和DS得到的波形分別作為激勵源，模型和其他條件相同，仿真結(jié)果偏差不大吧？有沒有高手做過這個比較

謝謝