微波EDA (qoerio.com) 網(wǎng)友回復(fù)：

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  我看書上幾乎都是用Sp參數(shù)模型做的，究竟用那種會準(zhǔn)一些？

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  原來帶框的就是理想元件。

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  版主有什么建議給提一下？是不是把偏置電路影響也考慮進(jìn)去了？真的是一頭霧水

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  1-線路架構(gòu)請先檢討改善. (饋電電路是重要影響源, 最好是連 layout trace 都完整考慮).
  2-一般溫度越高,半導(dǎo)體的電流也會越高(飽和崩潰例外), 也許是你的 noise最佳點(diǎn)"需要高一點(diǎn)的偏流"！
  3-仿真的準(zhǔn)確度,和你的 background 有很大的相關(guān)..
  
  較正確的仿真稍後補(bǔ)上....(請耐心.....)
  

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  不懂放大器，跟著你們學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)。

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  很感謝FOXMAN
  我弄了好幾天也弄不對，偏置一樣S參數(shù)也不一樣

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  是否告知你要應(yīng)用的頻帶 / gain / N.F .......？ (你真的要用 AT41435去做電路嗎？)
  這樣的討論會比較有意義！

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  Frequency1.45 – 1.55GHZ
  Gain12.5 ± 0.2dB
  Noise Figure≤ 2.0dB
  Output VSWR≤ 1:1.5 (>13dB)
  Gain ripple< 1.5dB
  就這些 謝謝了

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  不知道你有甚麼理由？ 非用這顆元件！ 和這個電壓條件！ 來完成你要的指標(biāo)？
  因為有太多元件,只要3.3V就可以得到更好的指標(biāo),(除非你對 IP3 , P1dB有特殊要求)

  
  CIRCUIT.jpg

  
  Noise.jpg

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  我是照著一個教程做，教程上用SP模型做，而我自己建偏置做和教程上做的不符合，所以有點(diǎn)納悶。前輩我想問一下你:是不是自己建偏置做會好一些呢
  很感謝你

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  我是照著一個教程做，教程上用SP模型做，而我自己建偏置做和教程上做的不符合，所以有點(diǎn)納悶。前輩我想問一下你:是不是自己建偏置做會好一些呢
  很感謝你

  這是一個很難回復(fù)的重點(diǎn)！ 它跟每個人的學(xué)習(xí)歷程有關(guān), 沒有絕對的 "對與錯" ！
  建議你 ;
  1- data sheet 是給你參考用, 因為它的資料皆是在精密的設(shè)備下"直接"量取, 所以其值也一樣會有"誤差", 只是範(fàn)圍會比我們重新自己建偏置要小的多！
  例如, 我們用的貼片R.L.C 至少也有+/- 5%的"誤差範(fàn)圍".
  
  2- 大廠的 RF Transistor一般都會有 Application note, 可以從那裡多了解..
  3- 經(jīng)驗是累積的 (也是經(jīng)由不斷的挫敗中成長),=> 要有耐心！

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  謝謝寶貴的建議！寒假回家好好學(xué)一下,可惜回家上不成網(wǎng)了！

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  頂FOXMAN

申明：網(wǎng)友回復(fù)良莠不齊，僅供參考。如需專業(yè)解答，推薦學(xué)習(xí)李明洋老師的ADS培訓(xùn)視頻，或咨詢本站專家。