HFSS理想磁邊界條件及其設(shè)置操作

        Perfect H是一種理想的磁邊界條件，這種邊界條件的電場矢量與物體表面相切，磁場矢量與物體表面垂直。需要說明的是，在真實世界中不存在理想磁邊界，它只是理論上的約束條件。在HFSS中靈活應(yīng)用理想磁邊界條件，可以實現(xiàn)如下兩個重要功能。
        （1）在背景默認的理想導體邊界條件上疊加理想磁邊界條件，可以模擬開放的自由空間。
        （2）在理想導體邊界上疊加理想磁邊界將去掉理想導體邊界的特性，恢復所選擇區(qū)域為其原先的材料特性；也就相當于在理想導體表面上開個口，允許電場穿過。例如，使用該功能可以模擬在地平面上開個孔允許同軸饋線進出。
對于理想磁邊界疊加到理想導體邊界的情況，我們也稱之為自然邊界條件。
理想磁邊界條件的設(shè)置操作步驟如下。
        （1）選中需要分配為理想磁邊界條件的物體表面。
        （2）從主菜單欄選擇【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Perfect H】操作命令，或者在三維模型窗口內(nèi)單擊鼠標右鍵，從彈出菜單中選擇【Assign Boundary】→【Perfect H】操作命令，打開圖示的理想磁邊界條件設(shè)置對話框。

        （3）在該對話框中，Name欄輸入理想磁邊界條件的名稱，默認名稱為PerfHn，然后單擊 按鈕，完成理想磁邊界條件的設(shè)置。
        （4）設(shè)置完成后，邊界條件的名稱會自動添加到工程樹中的Boundaries節(jié)點下。