5.3.6 HFSS 電壓源激勵、電流源激勵和磁偏置激勵

    5.3.6 電壓源激勵

    電壓源激勵（Voltage…）是定義在兩層導(dǎo)體之間的平面上，用理想電壓源來表示該平面上的電場激勵。定義電壓源激勵時(shí)，需要設(shè)置的參數(shù)有電壓的幅度、相位和電場的方向，如圖5.43 所示。

圖 5.43 電壓源激勵設(shè)置對話框

     在使用電壓源激勵時(shí)，用戶需要注意以下兩點(diǎn)。

    （1）電壓源激勵所在的平面必須遠(yuǎn)小于工作波長，且平面上的電場是恒定電場。

    （2）電壓源激勵是理想的源，沒有內(nèi)阻，因此后處理時(shí)不會輸出 S 參數(shù)。

    5.3.7 電流源激勵

    電流源激勵（Current…）定義于導(dǎo)體表面或者導(dǎo)體表面的縫隙上，需要設(shè)定的參數(shù)有導(dǎo)體表面/縫隙的電流幅度、相位和方向，如圖 5.44 所示。

圖 5.44  電流源激勵對話框

    和電壓源激勵一樣，在使用電流源激勵時(shí)，用戶也需要注意以下兩點(diǎn)。

    （1）電流源激勵所在的平面/縫隙必須遠(yuǎn)小于工作波長，且平面/縫隙上的電流是恒定的。

   （2）電流源激勵是理想的源，沒有內(nèi)阻，因此后處理時(shí)不會輸出 S 參數(shù)。

    5.3.8 磁偏置激勵

    當(dāng) HFSS 設(shè)計(jì)中使用到鐵氧體材料時(shí)，需要通過設(shè)置磁偏置激勵（Magnetic Bias…）來定義鐵氧體材料網(wǎng)格的內(nèi)部偏置場；該偏置場使鐵氧體中的磁性偶極子規(guī)則排列，產(chǎn)生一個(gè)非零的磁矩。如果應(yīng)用的偏置場是均勻的，張量坐標(biāo)系可以通過旋轉(zhuǎn)全局坐標(biāo)系來設(shè)置；如果應(yīng)用的偏置場是非均勻的，不允許旋轉(zhuǎn)全局坐標(biāo)來設(shè)置張量坐標(biāo)系。均勻偏置場的參數(shù)可 以由 HFSS 直接輸入，而非均勻偏置場的參數(shù)需要從其他的靜磁求解器（如 Ansoft Maxwell 3D 軟件）導(dǎo)入。