CST如何給設(shè)置的模型外加一個(gè)直流偏壓電壓
來源：edatop
更新時(shí)間：2024-07-10
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如題所述，已知設(shè)置好了模型，除了激勵(lì)信號(hào)以外，希望給器件外加一個(gè)直流偏壓，來仿真器件的特性。
具體一點(diǎn)的話，我以讀到的一篇論文為例，《Active terahertz metamaterial devices》。這篇文章中，建立好了左手材料的模型后，又給SRR外加了一個(gè)電壓bias，如圖
。
作者在SRR陣列兩邊又加上了兩條金屬條狀物，然后在金屬條之間加了電壓，影響SRR與基底之間的載流子運(yùn)動(dòng)。我想問的就是，如何給這兩個(gè)金屬條加偏壓？請(qǐng)各位大神幫忙解決一下問題，謝謝啦
附上參考論文： (745 K) 15
同問啊，一直都沒找到
使用場(chǎng)路協(xié)同試試？
場(chǎng)路協(xié)同是個(gè)啥子方法哦？
在DS中加直流偏置
看看哈，小弟目前也急需知道
希望四樓前輩能給出詳盡說明哈
請(qǐng)學(xué)會(huì)使用軟件的幫助文件。
CST MWS幫助文件《EM/Circuit Co-Simulation Overview》。
