CST仿真,波導(dǎo)端口線阻抗為什么會(huì)隨著頻率而變化?
作者 | Danner Dan
CST中如果使用波導(dǎo)端口進(jìn)行激勵(lì),則在仿真完成后,可以從導(dǎo)航樹2D/3D Results >
Port Modes > Port 1 > e1/h1中查看到端口處的線阻抗。
首先通過(guò)宏命令:Macros > Calculate >
Calculate analytic Line Impedance創(chuàng)建接地共面波導(dǎo) (CPW),在下圖所示參數(shù)設(shè)置后,點(diǎn)擊Build 3D按鈕,會(huì)自動(dòng)創(chuàng)建好接地共面波導(dǎo)3D模型。
在CPW兩端添加波導(dǎo)端口激勵(lì),并將仿真頻率范圍設(shè)為0 ~ 10GHz(中心頻率5GHz)后運(yùn)行仿真,查看端口模式和端口線阻抗,其線阻抗值為38.05 Ohm。
將頻率范圍改為0-30GHz(中心頻率15GHz)后再仿真,可以觀察到線阻抗值變?yōu)?1.41 Ohm。
仔細(xì)對(duì)比兩個(gè)頻率對(duì)應(yīng)的端口模式3D場(chǎng)型圖,可以發(fā)現(xiàn)隨著頻率范圍的改變,端口處雖然都是QTEM模式,但其模式場(chǎng)型已經(jīng)不再相同。只要在傳輸線的橫截面上存在兩種或兩種以上不同屬性的材料,此傳輸線就必定色散。簡(jiǎn)而言之,在這種情況下,同一模式的阻抗會(huì)隨著頻率的變化而變化。此類傳輸線稱為非均勻傳輸線 (inhomogeneous
transmission line)。
為了觀察模式場(chǎng)型和端口線阻抗與頻率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,下面分別給出了中心頻率為5GHz、8GHz、12GHz、15GHz處的端口電場(chǎng)模式圖。
① 中心頻率5GHz:線阻抗38.05 Ohm:
② 中心頻率8GHz:線阻抗40.04 Ohm:
③ 中心頻率12GHz:線阻抗60.44 Ohm:
④ 中心頻率15GHz:線阻抗91.41 Ohm:
通過(guò)觀察可以發(fā)現(xiàn)隨著中心頻率逐漸變大,QTEM模式的場(chǎng)型也隨之漸變,從8GHz左右,傳輸線的色散特性開始顯現(xiàn),整個(gè)場(chǎng)型開始逐漸變化,端口線阻抗也開始非線性增大。對(duì)比中心頻率為5GHz和15GHz的端口模式場(chǎng)型圖,即可發(fā)現(xiàn)雖然端口模式的類型沒有變化,但是場(chǎng)型已經(jīng)發(fā)生了改變,所以端口線阻抗也隨之改變。
如果端口處的傳輸線是色散的,且仿真帶寬較大的話,建議作如下設(shè)置:在功能區(qū)的Simulation選項(xiàng)卡下,點(diǎn)擊T-Solver 圖標(biāo),進(jìn)入時(shí)域求解器設(shè)置對(duì)話框,勾選上紅框顯示部分,啟用非均勻端口精度增強(qiáng);然后點(diǎn)擊Specials按鈕,切換到Waveguide選項(xiàng)卡,確認(rèn)Number of frequency samples設(shè)置為20。此時(shí)CST仿真會(huì)在整個(gè)頻段根據(jù)設(shè)置的采樣頻點(diǎn)(此處設(shè)置為20個(gè))對(duì)每個(gè)頻點(diǎn)的端口阻抗進(jìn)行匹配,從而為之后的S參數(shù)等計(jì)算進(jìn)行歸一化。設(shè)置完成后點(diǎn)擊時(shí)域求解器窗口中的Start按鈕即可開始仿真。
仿真完成后,在導(dǎo)航樹中選擇1D Results >
Port Information > Line Impedance,即可查看端口線阻抗值關(guān)于頻率變化的曲線圖,從圖中可以找到前述驗(yàn)證的中心頻率分別在5GHz、8GHz、12GHz和15GHz的端口線阻抗值。