Iris 波導濾波器的HFSS和Designer協(xié)同仿真設(shè)計

    i. 考慮到后面要使用與Ansoft Designer 的協(xié)同仿真，每個求解設(shè)置下必須只包含一個掃頻設(shè)置（在HFSS 單獨使用時，掃頻設(shè)置的數(shù)目不受限制），并且掃頻設(shè)置使用默認名稱Sweep1；

    ii. 對于波導結(jié)構(gòu)來說推薦使用快速掃頻；只有當仿真的頻段達到波導的截止頻率時，才推薦使用插值掃頻； 取消Save Fields前面的勾選可減少硬盤空間的需求；

    端口設(shè)置：

    i. 使用波端口（waveports）

    ii. 僅求解一個模式 ( 主模)

    iii. 在每個基本單元的兩個端口上都定義積分線，這樣可以避免求解出的電 場相位有180 度的相差；

    iv.  這樣一來，在每個端口處都只求解主模；我們知道在波導內(nèi)部，IRIS 的存在會產(chǎn)生高次模（消逝模式）；然而，這些模式會迅速呈指數(shù)衰減，當波端口距離iris 足夠遠時，這些高次模還沒反射到端口處就已經(jīng)衰耗到很小的數(shù)量級（通常小于-20dB 時，高次�？杀缓雎圆挥嫞�，工程上可忽略不計； 在IRIS 基本單元中，我們可以設(shè)置波導長為2*a，a 為波導截面的寬；

    v. 在這個例子中，我們把波導壁簡化為理想導體，可無需畫出波導壁，HFSS 會默認仿真物體與背景交界的面為PEC，這將不考慮金屬損耗；

    vi. 如果結(jié)構(gòu)中存在兩個放置很近的 IRIS，這種情況下可能除了主模以外的少數(shù)幾個高次模在到達波端口之前還沒有得到很好的衰減，那么你需要將兩個IRIS 一并當作一個基本單元在HFSS 中仿真。

上一頁  [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] 下一頁